【合肥工业大学】【半导体器件物理】试卷含答案(3)

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合肥工业大学

四、计算推导（共30分，每小题15分）

1、MOSFET工作在非饱和区时的Sah方程推导，并求解跨导gm和沟道电导

gD，说明提高gm的具体措施；（每步2分，电导计算4分，措施3分）答案：

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