栅氧击穿机理研究 (2)

PBL结构中使用alpha-Si作为Si3N4和Si02的夹层。从图4中可以看出alpha-Si比p01y的结果好。alpha-Si在较低的温度下淀积，晶粒小，poly淀积温度高，晶粒大，但是在场氧的高温下alpha-Si的晶粒生长迅速，从许多细小晶粒结合成大晶粒，在Si3N4应力下向外膨胀，可以减小鸟嘴长度，poly晶粒大小受温度影响小，在Si3N4的应力下容易损伤PAD氧化层，生成较多的小孔，造成Qbd降低。 4结束语

仅靠提高栅氧化层质量是不能保证栅氧击穿的，在目前工艺条件下，PBL腐蚀对栅氧击穿的影响更大。对于不同电容结构Qbd结果差异的解释，文中提出了自己的观点，欢迎指正。

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