13.5 芳族亲电取代反应
13.5.1 芳族亲电取代的定位规则
(1) I类基是致活基团,使亲电取代易进行,且主要发生在邻对位。这些基团的致活强弱
顺序如下:N(CH3) 2,NH2,OH,OR,OCOR,CR3,CHR2,R(R=烷基)
(2) II类基是致钝基团,使亲电取代难于进行,反应主要发生在间位,这些基团的致钝强
弱顺序如下:NR3,NO2,CN,SO3H,COR,CCl3,COOR,COOH(R=烷基)
+
(3) III类卤素基团是致钝基团,都是邻对位定位基
(4) 如果环上有两个I类基,则定位以较强一个为主
(5) 如果环上有一个I类基,同时有一个II类或III类基时,则定位由I类基决定
(6) II,III类基共存时,定位由III类基决定
13.5.2 芳族亲电取代反应
13.5.2.1 烷基苯的合成(F-C反应)
a.使用卤代烷与路易斯酸(AlCl3,FeCl3,SnCl4,BF3)
+RXAlCl3R
●此反应必须在环上没有间位定位基团或-NR2基团存在的情况下才能进行。R=烷基,一般当碳原子数>3时有重排,不能是芳基或乙烯基 例:止泻药地芬诺酯(diphenoxylate)中间体的制备
CH2CNBr2BrCHCNCNC6H6/无水AlCl380℃,1h(80%)
b.使用烯烃与Lewis酸(AlCl3,H2SO4)
YCH3CCH2+HYCHCH3+CH3YCHCH3CH3
例:
Cl+EtOHAlCl380~90℃,2~3hCl(40%)CH2CH3
d.F-C酰基化再还原制备烷基苯
Y+ORCClYZn/HClHClAlCl3YCORYCH2R+CH2R+YCOR
其中Y=I类基,R=烷基
●可避免重排产物的产生 例:
CH3CH2CH2COClAlCl3COCH2CH2CH3CH2CH2CH2CH3
13.5.2.2 芳基硝基化合物的产生
a.使用混酸(HNO3+H2SO4)
YHNO3H2SO4YNO2+YNO2
其中Y=I类基时,主要得到对位产物
b.使用乙酸硝酸酯
YCH3COONO2YNO2+YNO2
其中Y=I类基时,主要得到邻位产物;Y=II类基时,主要得到间位产物。
13.5.2.3 卤代芳烃的生成
卤素+催化剂
YX2+FeX3YX
●其中:Y=I或II类基
13.5.2.4 芳基磺酸的生成:使用浓H2SO4或发烟H2SO4
YH2SO4加热YSO3H+YSO3H
其中:Y=I类基
YH2SO4加热YSO3H
●其中:Y=II类基
13.5.2.5 侧链卤代芳烃的生成
a.芳烃的氯甲基化反应
YHCHO,HClZnCl2YCH2Cl
●其中:Y=烷基,卤素,烷氧基等I类或III类基时较易反应,II类基不能反应 例:
BrHCHO,HClZnCl2BrCH2Cl
b.烷基苯的侧链卤代:用与烷烃光卤代类似的条件,易发生游离基卤代反应
CH2CH3Cl2加热或光照主ClCHCH3+少CH2CH2Cl
●注意卤代反应的条件(X2,加热或光照)与苯环上亲电取代反应的卤代反应(X2,FeX3)不同
●光卤代也可有多卤代产物
13.6 卤代烃的合成方法
13.6.1 由烃制备
13.6.1.1 游离基卤代反应
烷烃的游离基卤代反应,通常情况下,因较难控制,产物复杂,无制备价值,仅在一些特殊情况下应用
CH3H3CCCH3CH3如:
Cl2,光照CH3H3CCCH2ClCH3
只有一种氢,一卤代产物只有一种,较难控制 例:
CH3(CH2)3CHCHCH3NBS/(PhCO)2O2CCl4/△,4hNBS/CCl4hv/△,4hCH3(CH2)2CHCHCHCH3(58%~64%) BrPh3CCHCHCH2Br(94%)
Ph3CCH2CHCH2 为了形成更稳定的自由基,在某些结构化合物的卤取代反应中可发生双键移位或重排。 一般用得较多的是烯醛型化合物在高温下发生α-氢游离基取代反应
CCCHCl2,高温CCCCl
或者在较低温时,用N-溴代丁二酰亚胺(NBS)作试剂的α-溴代反应
NBSCCCH 例:
PhCH2CHCH2CCl4CCCBr
gas HBrAcOH/0℃,12hPhCH2CHCH3(71%)Br
I(90%)
KI / H3PO480℃,3h
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