解图1.9
1.10电路如图P1.10所示,晶体管导通时UBE 0.7V,β=50。试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T 的工作状态及输出电压uO的值。
解: (1)当VBB 0时,T 截止,uO 12V。
(2)当VBB 1V时,因为
IBQ
VBB UBEQ
Rb
60 A
ICQ IBQ 3mA
uO VCC ICQRc 9V 图P1.10 所以T处于放大状态。
(3)当VBB 3V时,因为IBQ
VBB UBEQ
Rb
460 A,
ICQ IBQ 23mA ICS
VCC UCES
11.3mA, 所以T处于饱和状态。
Rc
1.11电路如图Pl.11所示,晶体管的β=50 ,UBE 0.2V,饱和管压降
CE 0.1V;稳压管的稳定电压UZ 5V, 正向导通电压UD 0.5V。试问:当
uI 0V时uO ?;当uI 5V时uO ?
解:当uI 0V时,晶体管截止,稳压管击穿,
uO UZ 5V。
当uI 5V时,晶体管饱和,
uO 0.1V。
因为: 图P1.11
IB
uI UBE
480 A,IC IB 24mA,UEC VCC ICRc 0
Rb
1.12分别判断图Pl.12
所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
(a) (b) (c)
(d) (e)
图P1.12
解:(a)可能;(b)可能;(c)不能;(d)不能,T 的发射结会因电流过大而损坏。(e)可能。
1.13已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极① 、② 、③ 的电位分别为4V 、8V 、12V ,管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS 管、增强型、耗尽型),并说明① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系。
解:管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系如解图Pl.13 所示。
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