模拟电子技术基础(第四版)习题解答(16)

2.9 已知图P2.9所示电路中，晶体管β=100，rbe=1.4kΩ。 (1)现已测得静态管压降UCEQ=6V，估算Rb；

和U 的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少？ (2)若测得Uio

解：(1)IC

∴Rb

VCC UCE

2mA，IB IC/ 20 A, RcVCC UBE

565k 。 IB

(2)由Au

Uo (Rc//RL)

100, Uirbe

可得: RL 2.625k 。 图P2.9

2.10在图P2.9所示电路中，设静态时ICQ 2mA，晶体管饱和管压降

UCES 0.6V。试问：当负载电阻RL 和RL 3k 时，电路的最大不失真输出电

压各为多少伏？

解：由于ICQ 2mA，所以UCEQ VCC ICQRc 6V。 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故

Uom

U U 3.82V

RL 3k 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故

Uom

'IR 2.12V

2.11 电路如图P2.11所示，晶体管β=100，rbb =100Ω。

、R和R； (1)求电路的Q点、Auio

(2)若改用β=200的晶体管，则Q点如何变化？

(3)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？

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