时Q1才开始第二次导通,产生i5以后又重复
i1~i4过程,因此在L1上就产生了和开关脉冲
f(20KHz~30KHz)相同的交流电流。t4~t5的i4是
阻尼管D11的导通电流,
在高频电流一个电流周期里,t2~t3的i2是线盘磁
能对电容C3的充电电流,t3~t4的i3是逆程脉冲
峰压通过L1放电的电流,t4~t5的i4是L1两端电
动势反向时, 因D11的存在令C3不能继续反向充
电, 而经过C2、D11回流所形成的阻尼电流,Q1的
导通电流实际上是i1。
Q1的VCE电压变化:在静态时,UC为输入电源经过
整流后的直流电源,t1~t2,Q1饱和导通,UC接近地电位,t4~t5,阻尼管D11导通,UC为负压(电压为阻尼二极管的顺向压降),t2~t4,也就是LC自由振荡的半个周期,UC上出现峰值电压,在t3时UC达到最大值。 以上分析证实两个问题:一是在高频电流的一个周期里,只有i1是电源供给L的能量,所以i1的大小就决定加热功率的大小,同时脉冲宽度越大,t1~t2的时间就越长,i1就越大,反之亦然,所以要调节加热功率,只需要调节脉冲的宽度;二是LC自由振荡的半周期时间是出现峰值电压的时间,亦是Q1的截止时间,也是开关脉冲没有到达的时间,这个时间关系是不能错位的,如峰值脉冲还没有消失,而开关脉冲己提前到来,就会出现
很大的导通电流使Q1烧坏,因此必须使开
关脉冲的前沿与峰值脉冲后沿相同步。
2.4 振荡电路
(1) 当G点有Vi输入时、V7 OFF时
(V7=0V), V5等于D12与D13的顺向压降,
而当V6<V5之后,V7由OFF转态为ON,V5
亦上升至Vi, 而V6则由R56、R54向C5充电。
(2) 当V6>V5时,V7转态为OFF,V5亦降至D12与D13的顺向压降, 而V6则由C5经R54、D29放电。
(3) V6放电至小于V5时, 又重复(1) 形成振荡。
“G点输入的电压越高, V7处于ON的时间越长, 电磁炉的加热功率越大,反之越小”。
2.5 IGBT激励电路
振荡电路输出幅度约4.1V的脉冲信号,此电压不能直接控制IGBT(Q1)的饱和导通及截止,所以必须通过激励电路将信号放大才行,该电路工作过程如下:
(1) V8 OFF时(V8=0V),V8<V9,V10为高,Q8和Q3 导通、Q9和Q10截止,Q1的G极为0V,Q1截止。
(2) V8 ON时(V8=4.1V),V8>V9,V10为低,Q8和Q3截止、Q9和Q10导通,+22V通过R71、Q10加至Q1的G极,Q1导通。
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