掺硼p_Si外延层厚度的测试方法(4)

刘春香　等:掺硼p+2Si外延层厚度的测试方法

所示的外延层与衬底的界面

。

6　结论

与磨角染色法相比,本文所提出的p+2Si外延层

厚度的测量方法简单易行,可以测量p+/p结构的外延层厚度,且该方法具有一定的准确度。该方法可以作为外延工艺的检测手段,以加强对外延过程的监控;并且该方法仅适用于高浓度掺杂的p型外延层厚度的测量,B掺杂的浓度不小于5×1019cm-3。参考文献:

[1]《国内外半导体材料标准汇编》编委会.国内外半导体材

图3　外延层与衬底界面图

Fig13　Interfacebetweenepitaxiallayerandsubstrate

(3)转动金相显微镜测微尺中的标线,直到目

镜中的标线与外延层的一边重合,此时将显示表读数复位。

(4)再次转动金相显微镜测微尺中的标线,直到目镜中的标线与外延层的另外一边重合,此时显示表上的读数即为外延层的厚度。

料标准汇编[S].北京:中国标准出版社,2004:5472554.

[2]《电子工业生产技术手册》.电子工业生产技术手

册:S].:国防工业出版社,

304.

].[M].北京:化学工业

5　结果分析

量。结果表明,1表1　不同测量方法测得的外延层厚度结果对比

Tab11　Measuredresultcomparisonwithdifferentmethods

样品号

(磨角染色法)d1/μm(本方法)d2/μm

151815112

271928121

371657120

481328190

541935115

:1192124.

]刘玉岭,檀柏梅.微电子技术工程[M].北京:电子工业

出版社,2004:1332205.

(收稿日期:2009201216

)

作者简介:

),女,天津塘沽人,高级工刘春香(1960—

程师,1982年毕业于天津大学电子工程系半导体器件与物理专业,获工学学士学位,长期从事半导体材料加工和测试分析工作,已发表论文数篇;

从表1可以看出,采用该方法进行外延层厚度测量时,测量结果与采用磨角染色法测量的外延层厚度的结果比较吻合。

在样品腐蚀过程中,由于样品的断面为<110>晶向,因此,衬底层断面的腐蚀速率很快,通常在较短的时间内即腐蚀出台阶。

),女,天津宝坻人,高级工程师,1987年毕业于天佟丽英(1966—

津大学电子工程系半导体器件与物理专业,获工学学士学位,主要研究方向为半导体材料的加工技术,已发表论文数篇。

我刊第10期技术专栏为“半导体检测与测试技

术”,欢迎大家踊跃投稿。

July　2009

SemiconductorTechnologyVol134No17　691　

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