MT6735_MT6328_MT6169_MT6625L_EMMC_LPDDR2_CMCC_3M_PHASE-2_REF_SCH_V0.4(13)

Schematic design notice of"40_MEMORY_SD Card" page.Note 40-1: The total equivalent capacitance of MSDC ESD protection device and desense bypass CAP must be<=10pF. But for NFC app. equivalent capacitance of MSDC_NFC_SWPIO and MSDC_NFC_VCCSWP should<=0.5pF.

A

A

Title Size C Date:5 4 3 2

40_Memory SD Card

MTK ConfidentialWednesday, January 14, 20151

Sheet

40

of

99

5

4

3

2

1

Connect to APD

DQ[0..31] CA[0..9] CS0_N CS1_N CKE DQM0 DQM1 DQM2 DQM3 DQS0_C DQS1_C DQS2_C DQS3_C DQS0_T DQS1_T DQS2_T DQS3_T CLK0_T CLK0_C VREF_CA VREF_DQ MSDC0_RSTB MSDC0_CMD MSDC0_CLK MSDC0_DSL MSDC0_DAT0 MSDC0_DAT1 MSDC0_DAT2 MSDC0_DAT3 MSDC0_DAT4 MSDC0_DAT5 MSDC0_DAT6 MSDC0_DAT7

DQ[0..31] CA[0..9] CS0_N CS1_N CKE DQM0 DQM1 DQM2 DQM3 DQS0_C DQS1_C DQS2_C DQS3_C DQS0_T DQS1_T DQS2_T DQS3_T CLK0_T CLK0_C VREF_CA VREF_DQ MSDC0_RSTB MSDC0_CMD MSDC0_CLK MSDC0_DSL MSDC0_DAT0 MSDC0_DAT1 MSDC0_DAT2 MSDC0_DAT3 MSDC0_DAT4 MSDC0_DAT5 MSDC0_DAT6 MSDC0_DAT7R4103 1 R4104 1[13] DQ[0..31] DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQ8 DQ9 DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 DQ16 DQ17 DQ18 DQ19 DQ20 DQ21 DQ22 DQ23 DQ24 DQ25 DQ26 DQ27 DQ28 DQ29 DQ30 DQ31 2 R/ 240/ ohm/ 0201

/ 1% 2 R/ 240/ ohm/ 0201/ 1% W11 V11 V10 V12 V9 U10 U11 U12 N12 N11 N10 M9 M12 M10 M11 L11 AB10 Y9 AB11 W8 Y10 AB12 AA11 W9 L9 J11 H12 K10 L8 H11 K9 H10 K6 J6[13] CA[0..9] CA0 CA1 CA2 CA3 CA4 CA5 CA6 CA7 CA8 CA9 Y6 W6 V6 V5 V4 N5 M5 M6 L6 L5 U4102 LPDDR2+eMMC Samsung186 MCP FBGA186/P0.5/B0.27/12X16/SUMSUNG/2-IN-1 CA0 CA1 CA2 CA3 CA4 CA5 CA6 CA7 CA8 CA9 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQ8 DQ9 DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 DQ16 DQ17 DQ18 DQ19 DQ20 DQ21 DQ22 DQ23 DQ24 DQ25 DQ26 DQ27 DQ28 DQ29 DQ30 DQ31 ZQ0 ZQ1 VDD1 VDD1 VDD1 VDD1 VDD2 VDD2 VDD2 VDD2 VDD2 VDD2 VDDQ VDDQ VDDQ VDDQ VDDQ VDDQ VDDQ VDDQ VDDQ VDDQ VDDQ VDDQ VDDQ VDDCA VDDCA VDDCA VCC VCC VCCQ VCCQm VDDI H9 J4 AA4 AB9 H8 K5 N4 R10 Y5 AB8 J10 J13 K8 L12 M13 P9 R9 T9 V13 W12 Y8 AA10 AA13 M4 P4 W5 D11 E5 E11 F5 R4107 1 2 R/ 0/ ohm/ 0201 D8 C4110 C/ 1/ uF/ 0201 C4111 C/ 4.7/ uF/ 0402 1 1

D

eMMC+LPDDR2162/186 Ball, 0.5mm pitch VDD1=1.8V VDD2=1.20V VDDCA=1.2V VDDQ= 1.20VVDD1: Core 1DVDD18_EMI

C4101 C/ 1/ uF/ 0402 C0402

C4102 C/ 100/ nF/ 0201 C0201 DVDD12_EMI

SH4101 VIO18_PMU 1 2 DVDD18_EMI

2

2

D_GND

D_GND

R/ 0/ ohm/ 0201/ NC

VDD2: Core 2C4105 C/ 100/ nF/ 0201 C4106 C/ 100/ nF/ 0201 C4107 C/ 100/ nF/ 0201 C4108 C/ 100/ nF/ 0201 C4103 C/ 2.2/ uF/ 0402 C4104 C/ 2.2/ uF/ 0402

Power

1

1

1

1

1

2

2

2

2

2

C

2

1

D_GND

D_GND

D_GND

D_GND

D_GND

D_GND

C

1. VCC: Core Voltage 2.7v~ 3.6v 2. VCCQ: IO Voltage 1.7v~1.95v (low voltage range)C0402 C0402 C0201 C0201 C0201 C0201 VEMC_3V3_PMU VIO18_PMU C4109 C/ 100/ nF/ 0201 2 1

Note: 41-1

C4112 C/ 220/ nF/ 0201

eMMC

RCLK CLKm RST CMD DAT7 DAT6 DAT5 DAT4 DAT3 DAT2 DAT1 DAT0

1

1

1

Power I/FVIO18_PMU VEMC_3V3_PMU DVDD12_EMI VIO18_PMU VEMC_3V3_PMU DVDD12_EMI

D_GND

J9 J12 K13 L13 M8 N13 R8 U13 V8 W13 Y13 AA9 AA12 W4 R4 L4 E12 H4 J5 J8 K4 P5 R11 Y4 AA5 AA8 F6 1 R4109 2 F9 R/ 0/ ohm/ 0201 A1 A3 A14 A16 B2 B15 C1 C16 D4 D5 D12 D13 E4 E13 H13 K2 K15 M2 M15 R2 R15 U2 U15 AB4 AB13 AC4 AC5 AC12 AC13 AD1 AD16 AE2 AE15 AF1 AF3 AF14 AF16

VSSQ VSSQ VSSQ VSSQ VSSQ VSSQ VSSQ VSSQ VSSQ VSSQ VSSQ VSSQ VSSQ VSSCA VSSCA VSSCA VSSm VSSm VSS VSS VSS VSS VSS VSS VSS VSS VSSQm VSSQm

E7 D7 D9 E9 D10 E10 E6 D6

MSDC0_DAT7 MSDC0_DAT6 MSDC0_DAT5 MSDC0_DAT4 MSDC0_DAT3 MSDC0_DAT2 MSDC0_DAT1 MSDC0_DAT0

[12][12][12][12][12][12][12][12]

2

2

2

2

CloseD_GND to MemoryD_GND C0201 C0201 C0402 C0201 C0402 C0201 D_GND D_GND D_GND

CS0# CS1# CKE0 CKE1 CLK CLK# DQS0 DQS0# DQS1 DQS1# DQS2 DQS2# DQS3 DQS3# DM0 DM1 DM2 DM3 VREFCA VREFDQ

U4 U5 T4 T5 R6 P6 U9 U8 N9 N8 Y11 Y12 K11 K12 T8 P8 W10 L10 N6 R12 C/ 1/ uF/ 0201

CS0_N CS1_N CKE CKE CLK0_T CLK0_C DQS0_T DQS0_C DQS1_T DQS1_C DQS2_T DQS2_C DQS3_T DQS3_C DQM0 DQM1 DQM2 DQM3

[13][13][13][13][13][13][13][13][13][13][13][13][13][13][13][13][13][13] EVREF EVREF[11][11]

The eMMC VCC/VCCQ/VDDI bypass cap recommand value, please refer to vendor datasheet or MT6735 Design Notice (eMMC power capacitor value reference)

LP-DDR2

B

2

1

F7 R4108 1 2 R/ 0/ ohm/ 0201 E8 F4 F8

MSDC0_DSL MSDC0_CLK MSDC0_RSTB MSDC0_CMD

[12][12][12][12]

C4114 C/ 100/ nF/ 0201

C4113 C/ 4.7/ uF/ 0402

1

B

D_GND

DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU DNU

NC NC NC NC NC NC NC NC NC NC NC NC NC NC

G4 G5 G6 G7 G8 G9 H5 H6 R5 T6 U6 AA6 AB5 AB6

2

C4115 C4116 C0201 C0201 D_GND D_GND

Schematic design notice of"41_Memory_eMMC_LPDDR2" page. Note 41-1: Please reserve R4107/ R4108/ R4109 for co-layout different eMMC+LPDDR2 Type eMMC Type MT6735+ eMMC 5.0 Device MT6735+ eMMC 4.5 Device R4107/ R4108/ R4109 Mount Remove Remark R4107/ R4108/ R4109 Check the eMMC 4.5 Device, if the F5/F7/F9 Ball are real NC, the resistor cam be mounted

搜索“diyifanwen.net”或“第一范文网”即可找到本站免费阅读全部范文。收藏本站方便下次阅读，第一范文网，提供最新工程科技MT6735_MT6328_MT6169_MT6625L_EMMC_LPDDR2_CMCC_3M_PHASE-2_REF_SCH_V0.4(13)全文阅读和word下载服务。