武汉工程大学 电子技术基础习题集 模电答案

武汉工程大学 电子技术基础习题集 模电答案

第一单元练习答案

一、填空题

1. +3，空穴， +5，自由电子， 掺杂浓度，温度（或本征激发） 2. 单向导电性 3. 齐纳， 雪崩，

4. 双极结型晶体三级管，NPN,PNP, 自由电子，空穴，电流，输入电流，输出电流

5． 饱和区、放大区、截止区，发射结、集电结 6．正向，反向 7． 1+β，小

8． 集电极电流IC、发射极电流IE , 集电极电流IC、基极电流IB 9． 左移， 上移， 增大

二、选择题

1. C、A 2. A、E、B、D 3. C 4. A 5. C 6.A

三、简答与计算

1 2

武汉工程大学 电子技术基础习题集 模电答案

3

4． 5． 6．

图（a）D截止，VAO=-12V；

图（b）D1截止，D2导通，VAO=-6V VA>VB D导通

UO1＝6V，UO2＝5V。

7． 略（上课讲过） 8． 略 9．解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为

IB=VBB UBE=26μA

Rb

IC=β IB=2.6mAUCE=VCC ICRC=2V

所以输出电压UO＝UCE＝2V。 （2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以

IC=

IB=

VCC UCES

=2.86mARc

IC

=28.6µA

β

V UBE

Rb=BB≈45.4k

IB

搜索“diyifanwen.net”或“第一范文网”即可找到本站免费阅读全部范文。收藏本站方便下次阅读，第一范文网，提供最新高等教育武汉工程大学 电子技术基础习题集 模电答案全文阅读和word下载服务。