半导体器件物理1(3)

x qV pn ( x) pn 0 exp 1 exp L kT p

当 WB<< Lp时的空穴扩散电流密度为

J dp qDp

d p n dx

x 0

qD n qV exp WB N D kT

2 p i

1

第 2章第 1次习题3、4、6、7、8、20

当 WE<< Ln时的电子扩散电流密度为

J dn

qDn ni2 WE N A

qV exp kT

1

思考题：1、2、9、13、16、17、18

与厚基区二极管的扩散电流密度公式相比较，差别仅在于分别用 WB、WE来代替 Lp、Ln。

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